(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210898557.6 (22)申请日 2022.07.28 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址 201314 上海市浦东 新区良腾路6号 (72)发明人 敖振宇　曾鼎程　 (74)专利代理 机构 上海思捷知识产权代理有限 公司 312 95 专利代理师 罗磊 (51)Int.Cl. G03F 1/36(2012.01) G06F 30/10(2020.01) G06F 30/20(2020.01) (54)发明名称 建立OPC模型的方法 (57)摘要 本发明提供了一种建立OPC模型的方法， 包 括： 收集焦距能量矩阵数据； 根据焦距能量矩阵 数据建立光学模 型； 运用光学模 型对光掩模进行 仿真， 获取曝光于芯片上的仿真ADI临界尺寸， 将 仿真ADI临界尺寸分为第一等级、 第二等级和第 三等级， 并且记录第一等级、 第二等级和第三等 级分别对应的光掩模的位置为第一位置、 第二位 置和第三位置； 根据光学模型计算光刻工艺窗 口， 在光刻工艺窗口下对芯片进行曝光； 测量第 一位置对应的曝光于芯片上的图形线条的实际 ADI临界尺寸； 根据所实际ADI临界尺寸建立OPC 模型。 减小了收集ADI临界尺寸测量的范围， 减小 测量的ADI临界尺寸的数量， 提高建立的OPC模型 的精度， 并且 还能提高生产效率。 权利要求书2页 说明书4页 附图1页 CN 115202147 A 2022.10.18 CN 115202147 A 1.一种建立OPC模型的方法， 其特 征在于， 包括： 收集芯片曝光时的焦距能量矩阵数据； 根据所述焦距能量矩阵数据建立 光学模型； 运用所述光学模型对光掩模进行仿真， 获取曝光于芯片上的仿真ADI临界尺寸， 将所述 仿真ADI临界尺寸分为第一等级、 第二等级和第三等级， 并且记录所述第一等级、 第二等级 和第三等级分别对应的光掩 模的位置为第一 位置、 第二 位置和第三 位置； 根据所述 光学模型计算 光刻工艺窗口， 在所述 光刻工艺窗口下对芯片进行曝光； 测量所述第一 位置对应的 曝光于芯片上的图形线条的实际ADI临界尺寸； 以及 根据所实际ADI临界尺寸建立OPC模型。 2.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 所述焦距能量矩阵数据包括： 图形间距、 掩 模板图形尺寸、 芯片曝光图形尺寸和工艺窗口。 3.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 所述焦距能量矩阵数据选取 芯片上50个～100个取样点的数据。 4.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 运用所述光学模型对光掩模 进行仿真， 仿真的样品个数为10 00个～2000个。 5.如权利 要求1所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 将所述仿真ADI临界尺寸分为 第一等级、 第二 等级和第三 等级的方法包括： 根据所述 光学模型导出最佳曝光距焦与影 像位于光掩 模下的成像距离的关系式； 求得所述关系式的归一 化图像对数斜 率； 以及 如果归一化图像对数斜率大于第一设定值小于第二设定值， 则将其对应的仿真ADI临 界尺寸作为第一等级， 如果归一化图像对数斜率大于第二设定值， 则将其对应的仿 真ADI临 界尺寸作为第二等级， 如果归一化图像对数斜率小于第一设定值， 则将其对应的仿 真ADI临 界尺寸作为第三 等级。 6.如权利 要求1所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 量测实际ADI临界尺寸的优先 级顺序为第一位置对应的曝光于芯片上 的图形线条的实际ADI临界尺寸、 第二位置对应的 曝光于芯片上的图形线 条的实际ADI临界尺寸和 第三位置对应的曝光于 芯片上的图形线 条 的实际ADI临界尺寸。 7.如权利要求6所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 还包括： 选择性量测所述第二 位置对应的曝光于芯片上的图形线条 的实际ADI临界尺寸， 如果第二位置对应的曝光于芯 片上的图形线 条的实际ADI临界尺寸进行了量测， 则根据量测的第一位置的实际ADI临界尺 寸与第二 位置的实际ADI临界尺寸建立OPC模型。 8.如权利要求7所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 还包括： 选择性量测所述第二 位置和所述第三位置对应的曝光于芯片上的图形线条的实际ADI临界尺寸， 如果第二位置 和或所述第三位置对应的曝光于芯片上 的图形线条的实际ADI临界尺寸进行了量测， 则根 据量测的第一位置的实际ADI临界尺寸、 第二位置的实际ADI临界尺寸和第三位置的实际 ADI临界尺寸建立OPC模型。 9.如权利 要求1所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 所述第二等级的仿真ADI临界 尺寸作为OPC模型的管控数据； 所述第三 等级的仿真ADI临界尺寸作为OPC模型的验证数据。 10.如权利要求1所述的建立OPC模型的方法， 其特征在于， 所述ADI临界尺寸包括图形权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115202147 A 2线宽和图形线径间隙。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115202147 A 3