ICS 31.080.01
CCS L 40
团体标准
T/CIE 121-2021
逆导型IGBT的热阻测试方法
Technical Method for Thermal Resistance Test of Reverse Conducting IGBT
(RC-IGBT )
2021-11-22发布
中国电子学会 发布 2022-02-01实施
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T/CIE 121- 2021
I 目 次
前 言 ............................................................................ II
引 言 ........................................................................... III
1 范围 ............................................................................... 1
2 规范性引用文件 ..................................................................... 1
3 术语和定义 ......................................................................... 1
4 测试系统 ........................................................................... 2
4.1 通则 ........................................................................... 2
4.2 热电偶 ......................................................................... 2
4.3 测试电路 ....................................................................... 2
4.4 测试电路要求 ................................................................... 2
4.5 恒温平台 ....................................................................... 3
4.6 K系数校准装置 .................................................................. 3
5 测试条件 ........................................................................... 3
5.1 加热电流 ....................................................................... 3
5.2 加热电压 ....................................................................... 3
5.3 测试电流 ....................................................................... 3
5.4 测试时序 ....................................................................... 3
5.5 测试延迟时间( tMD) ............................................................. 4
6 测试程序 ........................................................................... 5
6.1 基准点温度 ..................................................................... 5
6.2 K值的确定 ...................................................................... 5
6.3 热阻测试 ....................................................................... 6
7 应记录的数据 ....................................................................... 8
7.1通则 ............................................................................ 8
7.2产品详细规范和测试报告中的数据 .................................................. 8
7.3测试报告中记录的数据 ............................................................ 8
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II 前 言
本文件按照GB/T 1.1 —2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规
定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中国电子学会可靠性分会提出。
本文件由中国电子学会可靠性分会归口。
本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所 、电子科技大学、北京工业大学、中国振华集
团永光电子有限公司 、西安卫光半导体有限公司。
本文件主要起草人:陈媛、来萍、何小琦、冯士维、 刘宇、李彦锋 、王嘉蓉、田文燕、孟繁新、
陈义强、付志伟 、贺志远、周斌、刘昌。
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III 引 言
对于新型逆导型 IGBT器件(在同一个芯片中集成了 IGBT和续流二极管)在导通初期的小电流情况
下,集电极和发射极电压( VCE)随电流增加迅速增大,当大于特定值 Vp时,VCE会突然陡降,电流密
度则陡增, I-V特性曲线上出现一段负阻区,这种现象称为回跳(snap-back )现象。如果电流继续增
加,I-V曲线上还会出现一系列的小幅回跳 现象。由于回跳现象,逆导型IGBT采用传统电学法测量的
热阻并不准确。 现有标准采用小电流的集电极-发射极电压作为热敏参数测量 器件或模块结壳热阻,
由于逆导型IGBT 在小电流小电压时处于回跳危险区,无法准确测量逆导型IGBT 的热阻。另外,由于其
内部结构与传统 IGBT的不同,测试时的噪声参数高于标准值也会带来较大的测量误差。因此,本文件
以IGBT中体二极管导通 电压为热敏参数,建立适用于逆导型 IGBT器件的热阻测试电路和方法, 规范
逆导型IGBT 的热阻测试流程,提高测试准确性。
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